近藤半导体CeOs2Al10中电子结构驱动的磁有序
强关联电子
2015-05-19 v2
摘要
我们利用光学电导率谱报告了近藤半导体CeOsAl在反常反铁磁有序温度（）29 K附近电子结构的各向异性变化。沿轴和轴的光谱表明，-杂化能隙从较高温度连续穿过出现。另一方面，沿轴，由于结构畸变，在高于的温度39 K以下出现了一个在20 meV处有峰的不同能隙。该能隙的起始在以下变得可见。我们的观测揭示，电子结构以及由结构畸变导致的沿轴的能隙开启，诱导了以下的反铁磁有序。
引用
@article{arxiv.1005.4174,
title = {Electronic-Structure-Driven Magnetic Ordering in a Kondo Semiconductor CeOs2Al10},
author = {S. Kimura and T. Iizuka and H. Miyazaki and A. Irizawa and Y. Muro and T. Takabatake},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.4174},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures