RuAs 各向异性金属-绝缘体转变的光学与光电研究
强关联电子
2019-10-02 v2
摘要
本文通过偏振光学电导率 [] 谱、角积分光电子(PE)谱以及基于局域密度近似(LDA)的能带计算,报道了具有两步相变的金属-绝缘体转变(MIT)材料 RuAs 电子结构的各向异性变化。无论是在高温(HT)相还是低温(LT)相,PE 与 谱以及由 MIT 引起的能隙形成均与 LDA 能带计算所得结果基本一致,因此 HT 与 LT 相的基本电子结构可在无电子关联下得到解释。然而,介于 HT 与 LT 相之间的中间相电子结构尚未阐明。偏振 谱不仅揭示了各向异性能隙形成,还揭示了各向异性的隙开温度,即 HT 相中沿 轴的能隙在较高转变温度附近开始打开,而沿 轴的能隙在较低转变温度以下才打开。该发现表明两步 MIT 源于各向异性能隙形成。
引用
@article{arxiv.1908.03312,
title = {Optical and photoelectrical studies on anisotropic metal-insulator transition of RuAs},
author = {Yuki Nakajima and Zenjiro Mita and Hiroshi Watanabe and Yoshiyuki Ohtsubo and Takahiro Ito and Hisashi Kotegawa and Hitoshi Sugawara and Hideki Tou and Shin-ichi Kimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.03312},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 7 figures