GaAs基两端器件中观察到突变的一级金属-绝缘体转变
强关联电子
2007-05-23 v2 材料科学
摘要
通过电场在价带中诱导极低空穴浓度（约n_p=5x10^{14} cm^{-3}），在已知为半导体的Be掺杂GaAs中观察到作为态密度跳变的突变一级金属-绝缘体转变（MIT）；这是异常的。在较高的空穴掺杂浓度n_p=6x10^{16} cm^{-3}下，室温下未观察到突变MIT，但在低温下测量到了。在1.43 eV能隙处光致发光强度的大幅不连续下降以及负微分电阻也被观察到，作为MIT的进一步证据。这种突变MIT不经历结构相变，并伴随不均匀性。根据实验数据推断，允许MIT发生的温度上限约为440 K。这种突变MIT而非连续MIT是内在的，可以解释半导体器件中高电场引起的“击穿”现象（未解决问题）。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411328,
title = {Observation of abrupt first-order metal-insulator transition in GaAs-based two-terminal device},
author = {Hyun-Tak Kim and Doo-Hyeb Youn and Byung-Gyu Chae and Kwang-Yong Kang and Yong-Sik Lim},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411328},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 12 figures