均匀掺杂德慕根金属-绝缘体相变
无序系统与神经网络
2007-05-23 v1
摘要
我们测量了通过中子转位掺杂得到的富含 70Ge 单晶的 Ge:Ga样品的电导率，以研究金属-绝缘体相变 (MIT)，并排除了由于掺杂不均匀分布导致的歧义。零磁场下零温电导率的临界指数为 0.5，磁场下为 1.1。讨论了绝缘样品的变程隧穿导热以及由外部磁场诱导的 MIT 的有限温度尺度分析。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008138,
title = {Metal-Insulator Transition in Homogeneously Doped Germanium},
author = {Michio Watanabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008138},
year = {2007}
}
备注
LaTeX2e, 21 pages with 15 embedded figures, to be published in M. F. Thorpe and J. C. Phillips (eds.), "Phase Transitions and Self-Organization in Electronic and Molecular Materials" (Kluwer Academic/Plenum Publishers)