非晶合金中的金属-绝缘体转变
无序系统与神经网络
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
我们关注区分由半导体和金属形成的非晶合金中金属与绝缘体行为的核心问题。为此，近年来电导率的对数温度导数 w = d ln sigma / d ln T 在确定金属-绝缘体转变(MIT)的金属含量x的临界值xc方面已被证明非常有用。我们表明，对于各种非晶合金，近期关于w(T,x)的实验结果与MIT在T = 0处连续以及sigma(T,xc)正比于T的幂次的通常假设在定性上不一致。这些结果表明，当T -> 0时w(T,xc)趋于0，在这种情况下，MIT在T = 0处(且仅在该处)应是跳跃的，这与Mott关于存在有限最小金属电导率的假设一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111017,
title = {Metal-insulator transition in amorphous alloys},
author = {A. Mobius and C. J. Adkins},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111017},
year = {2007}
}
备注
20 pages (RevTex), 11 figures