p-SiGe材料在宽温度范围内的电阻分析
强关联电子
2015-06-24 v1 无序系统与神经网络
摘要
研究了在最高达90K的温度范围内表现出在零磁场下二维“金属-绝缘体转变” (MIT) 的体系的温度依赖性。我们使用经典散射模型能够模拟金属高密度 regime 中电阻的非单调温度依赖性。我们指出，温度依赖性源于散射率 中金属与绝缘体贡献之间复杂相互作用的影响，每种贡献在有限温度范围内占据主导地位。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107369,
title = {Analysis of the resistance in p-SiGe over a wide temperature range},
author = {V. Senz and T. Ihn and T. Heinzel and K. Ensslin and G. Dehlinger and D. Grützmacher and U. Gennser and E. H. Hwang and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107369},
year = {2015}
}
备注
4 pages with 5 figures