BiTeI拓扑相变中显著增强的贝里偶极矩
介观与纳米尺度物理
2018-12-19 v4
摘要
在不同类别的材料中已预测到拓扑不同电子态之间的相变，并在部分材料中得到观测。一个主要目标是识别能够直接揭示此类相变拓扑性质的可测量属性。本文聚焦于巨Rashba材料碲碘铋(BiTeI)，其在三维中表现出拓扑绝缘体与平庸绝缘体之间由压力驱动的相变。我们证明，这一经由中间Weyl半金属态进行的相变，伴随着贝里曲率偶极矩的巨幅增强，该增强可在输运与光电实验中探测。基于第一性原理计算，我们表明贝里偶极矩——沿该材料极性轴的矢量——在平庸与拓扑绝缘相中具有相反取向，并在绝缘体到Weyl临界点处达到峰值，此时非线性霍尔电导率可提升超过两个数量级。
引用
@article{arxiv.1805.02680,
title = {Strongly enhanced Berry dipole at topological phase transitions in BiTeI},
author = {Jorge I. Facio and Dmitri Efremov and Klaus Koepernik and Jhih-Shih You and Inti Sodemann and Jeroen van den Brink},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.02680},
year = {2018}
}
备注
As accepted in PRL