Dirac 电子系统中的拓扑输运：简明综述
材料科学
2017-01-20 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
Dirac 电子系统中出现了各种新颖的物理性质，尤其是受对称性保护的拓扑特征。对这些系统的当前研究因 Berry 相位与 Berry 曲率等直观概念而大大推进，它们给出了拓扑序的精确定义。在本专题综述中，介绍并讨论了拓扑绝缘体 (Bi2Se3)、拓扑 Dirac 半金属 (Cd3As2) 以及拓扑绝缘体-石墨烯异质结的输运性质。提供了关于二维拓扑非平凡系统输运性质的展望，包括拓扑边缘输运、拓扑谷输运和拓扑 Weyl 半金属。
引用
@article{arxiv.1701.04983,
title = {Topological transport in Dirac electronic systems: A concise review},
author = {Hua-Ding Song and Dian Sheng and An-Qi Wang and Jin-Guang Li and Da-Peng Yu and Zhi-Min Liao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.04983},
year = {2017}
}