$\textrm{Hf}_{2}\textrm{Te}_2\textrm{P}$ 中费米能以上的拓扑表面态
介观与纳米尺度物理
2019-08-21 v1 材料科学
摘要
我们报道了针对新近发现的拓扑材料 能带结构的详细实验研究。结合扫描隧道谱与表面钾掺杂的角分辨光电子能谱，我们以能量与动量分辨率探测了费米能级以上的 能带结构。我们的实验显示了多个具有线性类狄拉克色散的表面态，与先前报道的能带结构计算预测一致。特别地，扫描隧道谱测量提供了位于 460 meV 处强拓扑表面态的首个实验证据，该表面态源于 Hf-d 与 Te-p 轨道之间的能带反转。这种由更局域化 d 态构成的能带反转，相对于更传统的拓扑绝缘体，可带来更好的表面-体电导比。
引用
@article{arxiv.1905.06376,
title = {Topological surface states above the Fermi energy in $\textrm{Hf}_{2}\textrm{Te}_2\textrm{P}$},
author = {T. J. Boyle and A. Rossi and M. Walker and P. Carlson and M. K. Miller and J. Zhao and P. Klavins and C. Jozwiak and A. Bostwick and E. Rotenberg and V. Taufour and I. Vishik and E. H. da Silva Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.06376},
year = {2019}
}
备注
Supplementary materials available upon request