InAs/GaSb 量子自旋霍尔绝缘体中的单边缘输运
介观与纳米尺度物理
2016-07-13 v2
摘要
我们报道了 InAs/GaSb 量子自旋霍尔绝缘体单边缘通道中的输运测量，其中传导仅通过一对反向传播的边缘模式发生。通过使用涉及高度不对称电流路径的特定样品设计，我们将二维拓扑绝缘体的单边缘通道与另一边缘电学隔离。这使我们能够通过多端测量探测单边缘。对于 4 μm 长的边缘，两端和四端电阻均显示出围绕 的近量子化平台，表明准弹道输运。我们的方法优势在于允许我们通过局域测量深入微观区域。
引用
@article{arxiv.1606.01710,
title = {Single-edge transport in an InAs/GaSb quantum spin Hall insulator},
author = {François Couëdo and Hiroshi Irie and Kyoichi Suzuki and Koji Onomitsu and Koji Muraki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.01710},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 5 figures