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Ge/Si 核/壳纳米线量子点中安德烈夫反射增强的单空穴隧穿

介观与纳米尺度物理 2010-05-28 v1

作者: Xiao-Jie Hao , Guo-Ping Guo , Hai-Ou Li , Cheng Zhou , Gang Cao , Guang-Can Guo , Wayne Y. Fung , Zhongqing Ji , Wei Lu , Tao Tu

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摘要

我们实验研究了具有两个超导引线的 Ge/Si 核/壳纳米线器件在库仑阻塞区间的电输运性质。首次在库仑阻塞振荡峰出现的栅极电压处观察到反常的零场磁导峰。许多证据表明，这一特征源于通过量子点的安德烈夫反射增强的相位相干单空穴隧穿，该隧穿可以在不破坏电极中超导态的情况下被外加磁场抑制。

关键词

安德烈夫反射单空穴隧穿量子点 Ge/Si 核/壳纳米线库仑阻塞超导引线磁导

引用

@article{arxiv.1005.5077,
  title  = {Andreev reflection enhanced single hole tunneling in Ge/Si core/shell nanowire quantum dot},
  author = {Xiao-Jie Hao and Guo-Ping Guo and Hai-Ou Li and Cheng Zhou and Gang Cao and Guang-Can Guo and Wayne Y. Fung and Zhongqing Ji and Wei Lu and Tao Tu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1005.5077},
  year   = {2010}
}

备注

10 pages, 5 figures