混合半导体纳米线器件中的 Andreev 反射与库仑阻塞

半导体纳米线为结合超导性研究量子输运现象提供了有前景的低维系统。在此，我们研究了连接到铝基超导电极的 InAs 和 InP 纳米线中库仑阻塞效应、Andreev 反射和量子干涉之间的竞争。我们比较了取决于隧道耦合强度和特征库仑相互作用能的三种极限情况。对于弱耦合和大充电能，观察到负微分电导，这是引线中 BCS 态密度的直接后果。对于中等耦合且充电能小于超导能隙的情况，电流 - 电压特性由 Andreev 反射主导，库仑阻塞仅在零偏压附近产生效应。对于近乎理想的接触透明度和可忽略的充电能，我们观察到普适电导涨落，其振幅由于接触处的 Andreev 反射而增强。