劈裂边 Al/InAs 结在量子霍尔区域的安鲁夫反射
介观与纳米尺度物理
2024-11-12 v2
摘要
我们利用劈裂边外延生长技术制备了由 Al 和 InAs 组成的超导体/半导体（S/Sm）结。通过利用独特的几何结构——在原位劈裂异质结构晶圆的侧表面形成的薄 Al/Pt/Al 三层结构，其中包含 InAs 量子阱——我们实现了 5 T 的超导临界场，使得超导性和量子霍尔（QH）效应可以在朗道能级填充因子 ν = 3 以下共存。零磁场下的安鲁夫反射显示电导增强仅受费米速度失配的限制，证明了该 S/Sm 结几乎是无势垒的高质量结。量子霍尔区域的偏压光谱揭示了超导能隙的打开，下游电阻的降低表明电子-空穴安鲁夫转换概率始终超过 50%。我们的结果是在一种新的实验条件下获得的，其特征为清洁边接触结且超导电极宽度小于相干长度，这为超导性与 QH 效应之间相互作用的理论和实验研究以及奇异准粒子的调控开辟了新的途径。
引用
@article{arxiv.2407.21557,
title = {Andreev Reflection in the Quantum Hall Regime at an Al/InAs Junction on a Cleaved Edge},
author = {Takafumi Akiho and Hiroshi Irie and Yusuke Nakazawa and Satoshi Sasaki and Norio Kumada and Koji Muraki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.21557},
year = {2024}
}
备注
7 pages, 4 figures