耦合超导体的双量子点中Andreev阻塞的证据
介观与纳米尺度物理
2022-02-09 v1 超导电性
摘要
我们设计并研究了一种实验系统，其可进入电子输运阻塞 regime，其中局域在电流路径中的自旋三重态被禁止进入自旋单重态超导体。为稳定三重态，在InAs纳米线中于超导引线附近静电创建双量子点。量子点随机填充两种自旋的电子。超导引线为分子束外延生长的Al壳层。该壳层在一段线区被蚀刻掉，以腾出空间用于双量子点和正常金属金引线。最靠近正常引线的量子点呈现库仑钻石，最靠近超导引线的量子点呈现Andreev束缚态和诱导能隙。实验观测与Andreev阻塞理论模型吻合良好，其得名源于三重态双量子点构型抑制了Andreev反射。观测到的泄漏电流可由有限温度解释。我们观察到预测的高电流四重能级简并点，以及由正常量子点占据数控制的周期性电导图样。随温度和磁场升高，奇偶输运不对称性被消除。该阻塞现象可用于研究超导体的自旋结构，也可能在利用Andreev或Majorana态的量子计算器件中找到用途。
引用
@article{arxiv.2102.03283,
title = {Evidence of Andreev blockade in a double quantum dot coupled to a superconductor},
author = {Po Zhang and Hao Wu and Jun Chen and Sabbir A. Khan and Peter Krogstrup and David Pekker and Sergey M. Frolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.03283},
year = {2022}
}
备注
Written using The Block Method. Data on Zenodo DOI: 10.5281/zenodo.4446186