中文

通过石墨烯量子点中 Andreev 束缚态的输运

超导电性 2011-05-24 v3 强关联电子

摘要

Andreev 反射——其中正常金属中的电子在超导体上反向散射成一个空穴——构成了通过超导结的低能输运的基础。受限区域中的 Andreev 反射会产生离散的 Andreev 束缚态 (ABS),它可以携带超电流,并且最近被提出作为量子比特的基础 [1-3]。尽管 Andreev 反射和束缚态在电导中的特征已被广泛报道 [4],但直接探测单个 ABS 一直很困难。在这里,我们报告了在包含石墨烯的超导体-量子点 (QD)-正常系统中形成的尖锐、栅极可调的 ABS 的输运测量。由于功函数失配 [5, 6],QD 存在于超导接触下方的石墨烯中。当离散的 QD 能级通过邻近效应耦合到超导接触时,就形成了 ABS。由于石墨烯的低态密度以及 QD 能级对施加栅极电压的敏感性,ABS 谱很窄,可以通过栅极电压调谐到零能量,并在输运测量中显示出引人注目的图案。

关键词

引用

@article{arxiv.1005.2749,
  title  = {Transport Through Andreev Bound States in a Graphene Quantum Dot},
  author = {Travis Dirks and Taylor L. Hughes and Siddhartha Lal and Bruno Uchoa and Yung-Fu Chen and Cesar Chialvo and Paul M. Goldbart and Nadya Mason},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1005.2749},
  year   = {2011}
}

备注

25 Pages, included SOM