InP纳米线中的单电子隧穿
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们报告了基于由Au催化剂通过蒸气-液-固过程生长的线形InP晶体制备的场效应器件的制造与电气表征。我们的InP纳米线为n型掺杂，直径在40-55 nm范围内，长度为数微米。将纳米线沉积于氧化Si衬底上后，通过e-beam制造的Ti/Al电极进行单独接触。我们获得的接触电阻最低可达约10 kΩ，温度依赖较小。电极之间的距离范围为0.2-2微米。通过背栅器改变纳米线中的电子浓度。低温传输测量显示库仑阻塞行为，单电子充电能约为1 meV。我们还演示了由于纳米线中的约束导致的能量量化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302517,
title = {Single-electron tunneling in InP nanowires},
author = {S. De Franceschi and J. A. van Dam and E. P. A. M. Bakkers and L. F. Feiner and L. Gurevich and L. P. Kouwenhoven},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302517},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures