电沉积分段 Ni/Cu 纳米线中的线内耦合
材料科学
2017-02-01 v1
摘要
分段磁性纳米线是开发三维数据存储技术的一条有前景的途径。此类器件需要控制矫顽场以及各磁性单元之间的耦合机制。在我们的研究中，我们利用振动样品磁强计研究宿主模板内电沉积的纳米磁体，观察到纳米线长度（25 nm 至 5 m）和直径（25 nm 至 45 nm）与矫顽场之间的强依赖关系。在长宽比约为 2 处观察到磁化反转从相干转动到畴壁传播的转变。我们的结果通过微磁模拟和角度依赖磁滞回线得到进一步证实。利用所发现的行为，我们创建了在自旋阀类结构中由固定段和自由段组成的纳米线。将纳米线从膜中释放并进行电接触，显示出巨磁电阻效应，这归因于耦合纳米磁体的独立翻转。我们开发了一个简单的解析模型来描述观察到的翻转现象，并预测特定几何形状下耦合纳米磁体的稳定与不稳定区域。
引用
@article{arxiv.1612.00314,
title = {Intra-wire coupling in segmented Ni/Cu nanowires deposited by electrodeposition},
author = {Philip Sergelius and Ji Lee and Olivier Fruchart and Mohamed Salem and Sebastian Allende and Robert Escobar and Johannes Gooth and Robert Zierold and Jean-Christophe Toussaint and Sebastian Schneider and Darius Pohl and Bernd Rellinghaus and Sylvain Martin and Javier Garcia and Heiko Reith and Anne Spende and Maria Toimil-Molares and Dora Altbir and Russel Cowburn and Detlef Görlitz and Kornelius Nielsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.00314},
year = {2017}
}