石墨烯器件中磁聚焦的扫描门显微镜研究:量子与经典模拟
介观与纳米尺度物理
2017-04-26 v1
摘要
我们比较了近期研究的磁聚焦器件(S. Bhandari 等人,Nano Lett. 16, 1690 (2016))在扫描门显微镜(SGM)扰动势作用下的经典与量子电子输运。利用多端器件的 Landauer-Büttiker 形式,我们计算了 SGM 探针扫描样品时获得的电阻图。研究了扫描探针可工作的三种独特 regime(聚焦、排斥与混合)。探针主要与穿过其正下方的回旋轨迹电子相互作用,并在其后留下修正的电流密度的轨迹。当探针置于样品边缘附近时,其他(间接)轨迹变得相关,且电流在探针与边缘之间散射。我们还讨论了实验测量的电阻图空间不对称性的可能解释,并将其与测量探针的特定构型联系起来。
引用
@article{arxiv.1701.06230,
title = {Scanning gate microscopy of magnetic focusing in graphene devices: quantum vs. classical simulation},
author = {M. D. Petrović and S. P. Milovanović and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.06230},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 9 figures