基于边缘态的二维 alpha-In2Se3-MoS2 铁电场效应器件
材料科学
2023-01-03 v1 应用物理
摘要
基于二维(2D)材料的异质结构为实现协同功能提供了可能，而这些功能在其各自单独的材料中无法实现。本文利用 alpha-In2Se3 中的铁电极化翻转，在部分重叠的 alpha-In2Se3-MoS2 铁电半导体场效应器件中构建了多级非易失电导态。特别地，我们展示了 alpha-In2Se3 的相互耦合铁电特性如何基于一种新颖的边缘态驱动机制，在非易失地在 n-i 与 n-i-n 型结构型之间切换，从而为亚纳米尺度非易失器件微型化铺平了道路。此外，所诱导的非对称极化增强了光生载流子的分离，导致在可见光范围内极高的 1275 AW-1 光响应，以及对覆盖 MoS2 单层中具有强非易失调制的亮 A- 和 B- 激子发射通道。我们的结果表明，在部分重叠的 alpha-In2Se3-MoS2 基 FeFET 中利用可切换极化来构建多模态非易失纳米级电子与光电子器件具有显著潜力。
引用
@article{arxiv.2301.00568,
title = {Edge-based 2D alpha-In2Se3-MoS2 ferroelectric field effect device},
author = {Debopriya Dutta and Subhrajit Mukherjee and Michael Uzhansky and Pranab K. Mohapatra and Ariel Ismach and Elad Koren},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.00568},
year = {2023}
}