基于单层并五苯的一次写入多次读取存储器
材料科学
2009-08-11 v1
摘要
我们实现了一种结构简单的有机电存储器，基于嵌入Al和ITO电极之间的单层并五苯薄膜。通过优化并五苯的厚度和沉积速率，我们获得了可靠的器件，其开/关电流比高达近1000000，比先前结果高出两个数量级，存储时间超过576小时。电流转变过程归因于不同电场下界面偶极子的形成与破坏，其中电流传导表现出从欧姆导电电流到Fowler-Nordheim隧穿电流的转变。从开态转变为关态后，即使移除施加电压，器件也倾向于保持关态，这表明该器件非常适用于一次写入多次读取（WORM）存储器。
引用
@article{arxiv.0908.1371,
title = {Write-once read-many-times memory based on a single layer of Pentacene},
author = {Shengwei Shi and Junbiao Peng and Jian Lin and Dongge Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.1371},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 4 figures