利用分数阶电容器记忆效应的信息编码与解码

在本研究中，我们展示分数阶超级电容从同一初始稳态电压向恒定电阻放电的电压模式依赖于先前的充电电压曲线。充电电压被设计为遵循幂律函数，即 $v_c(t)=V_{cc} \left( {t}/{t_{ss}}\right)^p \;(0<t \leqslant t_{ss})$，其中 $t_{ss}$（从零电压到端电压 $V_{cc}$ 的充电持续时间）与 $p$ ($0<p<1$) 作为两个可变参数。我们利用该器件动态行为的这种历史依赖性来唯一地检索预编码于充电波形模式中的信息。此外，我们提供了一个基于分数阶微积分的分析模型，从现象学上解释信息存储机制。利用这种本征材料记忆效应可能催生新型的信息存储与检索方法。