非均匀超导线的电阻率

我们研究了超导序参量中的量子相位涨落对脏且非均匀超导线低温电阻率 $\rho(T)$ 的贡献。特别是，我们考虑了导线厚度中任意大小的随机空间涨落。对于典型的导线厚度高于超导体 - 绝缘体转变的临界值的情况，相位滑移过程可以进行微扰处理。我们使用记忆形式体系方法，该方法强调了守恒律的微弱破坏在产生有限电阻率机制中所起的作用。我们的计算得出了 $\rho(T)$ 的表达式，该表达式显示出随着 $T$ 的增加，从均匀极限到“颗粒”极限的平滑交叉，这一过程由表征厚度涨落大小的“颗粒度参数”$D$ 控制。对于极小的 $D$，我们恢复了由量子相位滑移解绑获得的幂律依赖关系 $\rho(T)\sim T^\alpha$。然而，在强非均匀极限下，指数 $\alpha$ 被修正，且前置因子被{\em 指数增强}。我们考察了指数 $\alpha$ 对平行于导线施加的外磁场的依赖性。最后，我们表明低温下的幂律依赖关系与在各种长而窄样品中获得的一系列实验数据一致。从数据中提取的 $\alpha$ 值及其相应的场依赖性与相应样品的已知参数一致。