强无序锑膜电荷输运中的记忆效应
介观与纳米尺度物理
2020-05-11 v2
摘要
我们研究了强无序非晶锑膜在高偏置电压下的电导。我们观察到非线性电流-电压特性,其中零偏置下的电导值为两个不同值之一,由先前施加电压的符号决定。弛豫曲线显示这些电导值在很大时间尺度上具有高稳定性。对锑膜结构的研究可确定强无序膜中电子输运的渗流特征。我们将电导中的记忆效应归因于高偏置电压下某些膜区域重新带电所导致的渗流图案改变。
引用
@article{arxiv.2003.00690,
title = {Memory effect in the charge transport in strongly disordered antimony films},
author = {N. N. Orlova and S. I. Bozhko and E. V. Deviatov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.00690},
year = {2020}
}
备注
final version