电学功能可切换磁畴壁存储器
应用物理
2022-08-01 v1
摘要
在信息时代，终端用户强烈渴望更多功能的存储器以保护其信息。特别是，从可重写到只读功能的比特级可切换存储器，使终端用户能够防止任何重要数据被篡改。然而，迄今尚无此类可切换存储器的报道。我们展示了在由具强Dzyaloshinskii-Moriya相互作用的非对称Pt/Co/Ru/AlOx异质结构组成的U形畴壁存储器中，可通过足够大的电流脉冲将可重写功能转换为只读功能。我们在4英寸Si/SiO2衬底上设计并制备了晶圆级可切换磁畴壁存储器阵列。此外，我们确认信息可根据终端用户的安全需求以比特级存储于可重写或只读状态。我们的工作不仅为个人机密数据提供了解决方案，也为开发多功能自旋电子器件铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2207.14427,
title = {Electrically function switchable magnetic domain-wall memory},
author = {Yu Sheng and Weiyang Wang and Yongcheng Deng and Yang Ji and Houzhi Zheng and Kaiyou Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.14427},
year = {2022}
}