基于磁性拓扑绝缘体的可控畴壁存储器
无序系统与神经网络
2025-10-14 v1 应用物理
摘要
多年来,畴壁存储器为实现更快的位移、读取和写入操作经历了多次改进;然而,由于沿纳米线拓扑地制造钉扎点,根本性问题依然存在。凹槽处的形变会导致钉扎强度不均匀,从而在位移操作中引发多种故障。本研究提出一种新颖方法以应对这些挑战,并在布尔与非布尔范式的高级应用中实现对畴操控的更精细控制。利用磁性拓扑绝缘体(MTI)可在无需通过复杂光刻工艺制造可能存在缺陷的拓扑凹槽的情况下创建钉扎点。此外,施加外部电流能够对这些钉扎点的钉扎势进行精确控制。微磁学仿真验证了基于 MTI 的钉扎点的有效性,展示了其在未来应用中的潜力。我们的方法通过铁磁纳米线与 MTI 纳米条的交叉架构,在其交叉点引入交换相互作用,从而提供了一种创建钉扎点的替代方案。该方法简化了制备工艺,并可通过外部电流控制钉扎强度。
引用
@article{arxiv.2510.10369,
title = {Controllable Domain Wall Memories with Magnetic Topological Insulator},
author = {Arifa Hoque and Sanjukta Bhanja},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.10369},
year = {2025}
}