用于存储器和磁传感器应用的拓扑绝缘体单元
介观与纳米尺度物理
2011-09-09 v2
摘要
我们提出了一种基于三维拓扑绝缘体磁性掺杂表面的存储器件。存储在表面的磁信息通过量子化霍尔效应读出，该效应由拓扑不变量表征。因此，读出过程对无序、器件几何形状的变化以及写入过程中的缺陷不敏感。
引用
@article{arxiv.1106.2403,
title = {Topological Insulator Cell for Memory and Magnetic Sensor Applications},
author = {T. Fujita and M. B. A. Jalil and S. G. Tan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.2403},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 2 figures. Updated figures and text