零平台量子反常霍尔态的量子化拓扑磁电效应

三维拓扑绝缘体中的拓扑磁电效应是一种新颖现象，其中电场在同方向诱导出磁场，其普适比例系数以 $e^2/2h$ 为单位量子化。本文提出，拓扑磁电效应可以在磁拓扑绝缘体或铁磁体-拓扑绝缘体异质结的零平台量子反常霍尔态中实现。我们还数值研究了有限尺寸效应，表明当拓扑绝缘体薄膜厚度增加时，磁电系数收敛于一个量子化值。我们进一步提出了一种器件结构，以消除来自侧表面的非拓扑贡献。