磁泡级联存储器

磁畴壁的单向运动是下一代基于畴壁的存储与逻辑器件的核心概念。此类运动通常通过向纳米线注入大电流或利用由复杂结构调制诱导的畴壁张力来实现。在此，我们展示了一种无需任何电流注入或结构调制的新方案。该方案利用最近发现的手性畴壁，其速度相对于磁场表现出不对称性。由于这种不对称性，交变磁场可导致畴壁沿单一方向发生相干运动。这种相干单向运动甚至可在磁泡畴阵列中实现，从而使得设计一种具有二维数据存储能力的新器件原型——磁泡级联存储器（magnetic bubblecade memory）成为可能。