基于CuCl-PVDF-HFP聚合物的写入一次读取多次(WORM)忆阻器
介观与纳米尺度物理
2024-07-31 v1
摘要
本研究采用平面构型,将CuCl与PVDF-HFP按1:10的比例混合,旨在器件内部构建铜离子通道。该器件的电学响应表现出长时间的记忆保持特性。WORM特性归因于铜离子在聚合物基体中形成多条导电细丝或高导电渗流路径。紫外-可见光谱研究进一步证实了上述结果。此外,该忆阻器需经过特定的极化与冷却处理。本研究采用的制备方法得到了一种独特的阻变开关器件(RSD)。器件一旦激活,即使撤去外加电场,其状态仍能保持。该器件在可记录光盘(CD-R)、可记录数字多功能光盘(DVD-R)、可记录蓝光光盘(BD-R)以及一次性写入USB驱动器等领域具有潜在应用价值。
关键词
引用
@article{arxiv.2407.20687,
title = {In Situ Growth of Copper Channels within CuCl and PVDF Composite for Durable WORM Device Formation},
author = {Shilpi Bose and Aloka Sinha and Santanu Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.20687},
year = {2024}
}