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利用经典霍尔效应表征氧化铟锡薄膜

材料科学 2015-03-13 v1

作者: Laurens Willems van Beveren , Evgeniy Panchenko , Nik Anachi , Lachlan Hyde , Dan Smith , Timothy James , Ann Roberts , Jeffrey McCallum

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摘要

我们使用经典霍尔效应对通过两种不同技术在二氧化硅衬底上生长的氧化铟锡 (ITO) 薄膜进行电学表征。ITO 薄膜具有独特的性质，即既可以导电（例如可用作栅电极）又可以在光学上透明（至少在光谱的可见光部分）。在近红外 (NIR) 透射率通常降低。然而，原则上可以通过生长更薄的薄膜来补偿光吸收。

关键词

氧化铟锡经典霍尔效应薄膜二氧化硅衬底电学表征光学透明性近红外透射

引用

@article{arxiv.1503.03679,
  title  = {Indium Tin Oxide film characterization using the classical Hall effect},
  author = {Laurens Willems van Beveren and Evgeniy Panchenko and Nik Anachi and Lachlan Hyde and Dan Smith and Timothy James and Ann Roberts and Jeffrey McCallum},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1503.03679},
  year   = {2015}
}

备注

2 pages Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices (COMMAD), 2014 Conference