采用超薄含氟聚合物栅极电介质的低压有机晶体管与反相器
材料科学
2010-01-01 v1
摘要
我们报道了在<1-2 V电压下工作的无迟滞且电学稳定的有机场效应晶体管(OFET)和反相器的简易制备方法。该性能得益于有机半导体与超薄(<20 nm)且高度绝缘的单层含氟聚合物栅极电介质(Cytop)之间几乎无陷阱的界面。以PTCDI-C13(N,N'-双十三烷基苝-3,4,9,10-四甲酰二亚胺)为半导体的OFET展现出卓越的晶体管特性：极低的阈值电压(0.2 V)、起始电压为0 V、陡峭的亚阈值摆幅(0.1-0.2 V/十倍程)、无迟滞以及对栅极偏压应力具有优异的稳定性。值得注意的是，采用本研究中相对简单的加工技术即可实现如此小的OFET工作电压，这令人欣慰。
引用
@article{arxiv.0911.1219,
title = {Low-voltage organic transistors and inverters with ultra-thin fluoropolymer gate dielectric},
author = {M. P. Walser and W. L. Kalb and T. Mathis and B. Batlogg},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.1219},
year = {2010}
}
备注
Accepted for publication in Applied Physics Letters