使用 Parylene 栅绝缘层的 Rubrene 单晶场效应晶体管
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们报道了制作和表征基于 Rubrene 单晶的有机场效应晶体管 (OFET)。已用于栅极绝缘层的 Parylene 聚合物薄膜。室温下，这些 OFET 显示出 p 型导电性，场效应迁移率最高可达 1 cm²/Vs，开/关比值约为 10⁴。讨论了迁移率的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210555,
title = {Field Effect Transistors on Rubrene Single Crystals with Parylene Gate Insulator},
author = {V. Podzorov and V. M. Pudalov and M. E. Gershenson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210555},
year = {2009}
}
备注
3 pages