红荧烯单晶场效应晶体管中 SiO$_2$ 栅绝缘体上聚苯乙烯的优异表面修饰层
材料科学
2023-08-15 v1
摘要
我们在使用 Ca 与 Au 异质电极以实现双极性载流子注入模式的场效应晶体管（FET）结构中，借助 Si 衬底上的聚合物保护层层材料，对红荧烯单晶能隙内分散的电子与空穴载流子陷阱能级态密度（DTR(E)）进行了对比研究。采用了三种不同的聚合物材料：聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚苯乙烯（PS）与聚氯苯乙烯（PCS）。根据温度（T）依赖的源漏电流与栅电压（ISD-VG）转移特性，评估了 DTR(E) 的数值。PS 展现出最有效平衡的双极性载流子传输，优于最常用作 SiO/掺杂-Si 衬底上标准保护层的 PMMA。讨论在载流子多重陷阱与释放（CMTR）模型框架下进行。
引用
@article{arxiv.2308.06903,
title = {Superior surface modification layer of poly(styrene) on SiO$_2$ gate insulator in rubrene single crystal field-effect transistor},
author = {Hua-Xue Zhou and Chong-Li Yang and Shi-Lin Li and Shota Kobayashi and Qifeng Yao and Katsumi Tanigaki and Hidekazu Shimotani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.06903},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 5figures