环境效应对背栅 WSe2 场效应晶体管电学特性的影响
介观与纳米尺度物理
2020-05-01 v1
摘要
我们研究了聚合物涂层、压力和温度对具有准欧姆 Ni/Au 接触的 monolayer WSe2 背栅晶体管电学特性的影响。我们发现去除一层聚甲基丙烯酸甲酯或降低压力会使器件电导由 p 型变为 n 型。我们研究了电流-电压特性随温度的变化，并测得平带条件下接触处高度为 60 meV 的栅可调肖特基势垒。我们报告并讨论了随温度升高所观察到的迁移率和亚阈值斜率的变化。最后，我们估算了 WSe2/SiO2 界面的陷阱密度并研究了器件的光谱光响应，在 700 nm 波长和 0.37 mWcm^-2 光功率下实现了 0.5 AW^-1 的响应度。
引用
@article{arxiv.1808.08372,
title = {Environmental effects on the electrical characteristics of back-gated WSe2 field effect transistors},
author = {Francesca Urban and Lisanne Peters and Nadia Martucciello and Niall McEvoy and Antonio Di Bartolomeo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.08372},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 7 figures