通过漏极态密度工程实现纳米级冷源场效应晶体管的偏压无关亚阈值摆幅
介观与纳米尺度物理
2022-11-07 v1 材料科学
摘要
我们报道了一种设计具有偏压无关亚60 mV/dec亚阈值摆幅(SS)的纳米级冷源场效应晶体管(CS-FET)的策略。通过第一性原理计算和量子输运模拟,我们揭示漏极与源极电极之间态密度(DOS)的能量对齐对于实现偏压无关SS至关重要。通过定义“栅极窗口”,我们提出一种器件模型,以展示落入栅极窗口的漏极DOS的相似斜率如何在不同偏压下稳定SS。本研究强调了漏极DOS工程在设计用于便携式电子应用的偏压无关SS的CS-FET中的重要性。
引用
@article{arxiv.2211.02304,
title = {Bias-Independent Subthreshold Swing in Nanoscale Cold-Source Field-Effect Transistors by Drain Density-of-States Engineering},
author = {Kunyi Liu and Fei Lu and Yuan Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.02304},
year = {2022}
}
备注
currently under review