低能电子辐照对石墨烯场效应晶体管输运性质的影响

我们研究了高达10 keV的低能电子束辐照对基于石墨烯的场效应晶体管的影响。我们制备了金属双层电极以接触SiO$_2$上的单层和双层石墨烯薄片，获得特定接触电阻率 $\rho_c \simeq 19 k\Omega \mu m^2$ 和高达4000 cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$ 的载流子迁移率。通过使用高掺杂p-Si/SiO$_2$衬底作为背栅，我们分析了器件的输运性质以及对压力和电子轰击的依赖性。我们证明低能辐照对晶体管电流能力有害，导致接触电阻增加和载流子迁移率降低，即使在低至30 $e^-/nm^2$的电子剂量下也是如此。我们还表明，辐照后的器件在几次重复电学测量后通过返回其原始状态而恢复。