具有铌接触和非对称转移特性的石墨烯场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-11-06 v1
摘要
我们在机械剥离的单层石墨烯上使用铌电极制造背栅场效应晶体管，并在从大气压至 mbar 的压力范围内进行电学表征。我们研究室温真空脱气的影响，并报道了在n支中具有电阻平台的非对称转移特性。我们表明弱化学吸附的Nb在石墨烯上充当p型掺杂剂，并通过界面处费米能级未钉扎的Nb/石墨烯相互作用解释晶体管特性。
引用
@article{arxiv.1508.00805,
title = {Graphene field effect transistors with Niobium contacts and asymmetric transfer characteristics},
author = {Antonio Di Bartolomeo and Filippo Giubileo and Francesco Romeo and Paolo Sabatino and Giovanni Carapella and Laura Iemmo and Thomas Schroeder and Grzegorz Lupina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.00805},
year = {2015}
}
备注
10 pages, Research Paper