论有机场效应晶体管中的界面极化子形成

研究了一个描述具有高κ栅介质的有机单晶场效应晶体管中低密度载流子状态的模型。探讨了有机材料体相中载流子与分子间振动耦合以及极性电介质界面处诱导的长程相互作用之间的相互影响。这种相互影响导致了一种内部结构延伸至几个格点位置的极化子态的稳定化，其所需的耦合强度远低于仅由极化相互作用预期的值。这一效应可能在高κ有机场效应晶体管中引起极化子自陷，而无需假设非物理大的载流子界面相互作用值。