有机半导体与介质栅极界面处的双极化子形成
强关联电子
2015-11-26 v1 材料科学
软凝聚态物质
摘要
研究表明，由于载流子与界面振动模式的耦合以及体相电子 - 电子相互作用的弱至中等强度，在有机半导体与介质栅极的界面处，由电子 - 声子诱导的双极化子形成是可行的。在具有 realistic 强度的体相和界面声子电子耦合模型中，发现极化子束缚态相当稳健。近乎在位双极化子的交叉发生在比近乎在位极化子小得多的耦合值处，但另一方面，它导致了具有更大激活能的迁移率激活行为。结果结合并讨论了 rubrene 场效应晶体管的相关情况。
引用
@article{arxiv.1204.5038,
title = {Bipolaron formation in organic semiconductors at the interface with dielectric gates},
author = {C. A. Perroni and V. Cataudella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.5038},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures, ccepted for publication in EPL