一种用于修改场效应管道带 Profiles 的耗竭电荷方法
介观与纳米尺度物理
2025-01-27 v1
摘要
我们提出了一种利用耗竭电荷来调制横向带隙并应用于前景门环场效应管道 (GAAFET) 的方法。具体而言，我们在管道之外但紧邻管道的区域引入高度 p 型掺杂硅。它们与高度 n 型掺杂的源漏相连，以产生耗竭电荷。仿真采用有限差分法，结果表明沿管道的导带能发生显著修改。耗竭电荷作为内置电极，能够显著修改场效应管道的带隙轮廓。对管道内量子约束的研究尝试了多种方法，如额外电极和点接触。所呈现的结果包含两个方面：即在全硅结构中实现量子约束，以及在管道内调制带隙轮廓以改变其传输特性。
引用
@article{arxiv.2501.14093,
title = {An Approach to Use Depletion Charges for Modifying Band Profiles for Field-Effect Transistors},
author = {P. Xu and H. Luo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.14093},
year = {2025}
}