受栅极调控的二维pn结的非平衡驱动
介观与纳米尺度物理
2021-11-12 v1
摘要
我们通过构建一个基于物理的综合模拟器，研究了受栅极调控的二维pn结的静电学与电子输运；该模拟器自洽地求解二维泊松方程以及与漂移-扩散电流和连续性方程耦合的方程。该模拟器考虑了通过栅介质的面外电场的强影响以及界面态的存在。我们考虑了栅电容、能隙和界面陷阱态密度等参数的影响，以建模耗尽宽度、整流因子以及耗尽和扩散电容等特性。本工作为更广泛探索栅极可调二维pn结在优值方面可能带来的潜在优势打开了大门。
引用
@article{arxiv.2110.10967,
title = {The gate tunable 2D pn junction driven out-of-equilibrium},
author = {Ferney A. Chaves and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.10967},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 8 figures