n型掺杂6H-SiC中的各向异性载流子输运
材料科学
2021-10-05 v1
摘要
本文利用由非平衡统计算符（NSO）方法导出的非平衡量子动力学理论，研究了n型掺杂半导体6H-SiC中的电荷输运（包括瞬态和稳态），该理论清晰地描述了所分析系统演化中发生的不可逆现象。我们从理论上得到了基本宏观变量（电子漂移速度和远离平衡温度）对电场（施加于垂直于或平行于c轴的方向）的依赖关系。推导并分析了这些宏观变量在时间演化中的峰值点。
引用
@article{arxiv.2110.00801,
title = {Anisotropic Carrier Transport in n-Doped 6H-SiC},
author = {Ricardo Tadeu Ferracioli and Clóves Gonçalves Rodrigues and Roberto Luzzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.00801},
year = {2021}
}
备注
arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:2109.05382