中文

GaN(ZB) 与 AlN(WZ) 中的电子输运

材料科学 2021-10-06 v1

摘要

为了寻求对 n 型掺杂闪锌矿 GaN 与纤锌矿 AlN 中电子输运的更好理解,本文借助非平衡统计算符方法进行了理论研究,该方法提供了一组耦合的非线性微分演化方程,用以描述系统中发展的耗散现象。在假设电子有效质量取不同数值的情况下,获得了电子漂移速度的超快时间演化(以及稳态)。

关键词

引用

@article{arxiv.2110.01608,
  title  = {Electron transport in GaN(ZB) and AlN(WZ)},
  author = {Clóves Gonçalves Rodrigues},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2110.01608},
  year   = {2021}
}

备注

arXiv admin note: text overlap with arXiv:2108.00863