半导体纳米线电荷输运中的缺陷态与无序
介观与纳米尺度物理
2011-06-23 v1 材料科学
摘要
我们对统计掺杂区 InP 纳米线中无序介导的电荷输运进行了全面研究。在零栅极电压下，输运可由空间电荷限制电流模型和 Efros-Shklovskii 变程跳跃很好地描述，但正栅极电压（电子积累）揭示了一个先前未被探索的纳米线电荷输运区，现有理论无法很好地描述该区域。在这些区域之间连续调谐的能力为现有模型的扩展提供了指导，并直接为下一代纳米级电子器件的设计提供了信息。
引用
@article{arxiv.1106.4492,
title = {Defect states and disorder in charge transport in semiconductor nanowires},
author = {Dongkyun Ko and X. W. Zhao and Kongara M. Reddy and O. D. Restrepo and R. Mishra and I. S. Beloborodov and Nandini Trivedi and Nitin P. Padture and W. Windl and F. Y. Yang and E. Johnston-Halperin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.4492},
year = {2011}
}
备注
Main Text is 16 pages with 4 figures, Supplemental Materials is additional 6 pages with 1 figure