4H-SiC 中的各向异性空穴漂移速度
材料科学
2021-10-06 v1
摘要
本文提出了关于 p 型掺杂 4H-SiC 在高电场影响下瞬态与稳态中空穴非线性输运的理论研究。其基于一种非线性量子动力学理论，该理论清晰描述了系统中演化的耗散现象。获得了空穴漂移速度与非平衡温度，推导并分析了它们对电场强度的依赖关系。
引用
@article{arxiv.2110.01611,
title = {Anisotropic Hole Drift Velocity in 4H-SiC},
author = {Jackelinne L. Vasconcelos and Clóves Gonçalves Rodrigues and Roberto Luzzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.01611},
year = {2021}
}
备注
arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:2110.00801; text overlap with arXiv:2109.05382