半导体量子阱中光激发电子-空穴光栅的相互作用漂移-扩散理论

相位分辨瞬态光栅光谱在半导体量子阱中已被证明是一种测量电子-空穴拖曳电阻率 $\rho_{eh}$ 的强大技术，该电阻率依赖于载流子之间的库仑相互作用。在本文中，我们发展了相互作用漂移-扩散理论，根据该理论，在给定电子-空穴光栅迁移率测量值的情况下，可以确定 $\rho_{eh}$。从该理论我们预测了一个从高激发密度区域（其中迁移率具有“正常”正值）到低密度区域（其中库仑拖曳占主导地位且迁移率变为负值）的交叉。在交叉点处，光栅的迁移率消失。