基于石墨烯/MoS2 异质结构的库仑拖拽晶体管
介观与纳米尺度物理
2017-11-01 v1
摘要
二维(2D)异质界面常提供非凡的载流子输运，如超导或激子超流所示。近来，由少层氮化硼隔开的双层石墨烯展示了库仑拖拽现象：有源层中的载流子拖拽无源层中的载流子。在此，我们提出一种通过石墨烯/MoS2(GM)异质界面上的库仑拖拽相互作用工作的新型开关器件。理想的范德瓦耳斯距离允许层间电子-空穴对的强耦合，而由于异质界面处电荷转移形成的肖特基势垒阻止了它们的复合。该器件即使在室温下也表现出高载流子迁移率(高达约 3,700 cm^2V^-1s^-1)，同时保持高开关电流比(约 10^8)，优于各单独层。在电子-电子拖拽 regime 下，低温观察到类石墨烯的舒布尼科夫-德哈斯振荡。我们的库仑拖拽晶体管可为室温下量子力学二维异质结构的实际应用提供捷径。
引用
@article{arxiv.1710.11365,
title = {Coulomb drag transistor via graphene/MoS2 heterostructures},
author = {Youngjo Jin and Min-Kyu Joo and Byoung Hee Moon and Hyun Kim and Sanghyup Lee and Hye Yun Jeong and Hyo Yeol Kwak and Young Hee Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.11365},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 4 figures