单掺杂剂注入对纳米尺度场效应晶体管沟道漏极电流的调制
材料科学
2010-07-30 v1
摘要
我们展示了将单个掺杂剂注入到硅纳米尺度金属-氧化物-半导体场效应晶体管的沟道中。这是通过监测离子辐照期间的漏极电流调制来实现的。确定性掺杂对于克服当前纳米器件中的掺杂剂数量变异性和利用单原子自由度至关重要。研究了诱导漏极电流调制的两种主要离子阻止过程。我们使用了500 keV的He离子，其中电子阻止占主导，导致漏极电流离散增加；以及14 keV的P掺杂剂，其中核阻止占主导，导致漏极电流离散减少。
引用
@article{arxiv.1007.5190,
title = {Drain current modulation in a nanoscale field-effect-transistor channel by single dopant implantation},
author = {B. C. Johnson and G. C. Tettamanzi and A. D. C. Alves and S. Thompson and C. Yang and J. Verduijn and J. A. Mol and R. Wacquez and M. Vinet and M. Sanquer and S. Rogge and D. N. Jamieson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.5190},
year = {2010}
}
备注
13 pages, 3 figures, 1 table, accepted for Applied Physics Letters