InAs 纳米线的高效太赫兹发射
介观与纳米尺度物理
2011-11-04 v1 材料科学
摘要
我们观察到从 InAs 纳米线阵列发射出强烈的远红外电磁辐射脉冲。这些结构的太赫兹辐射功率效率比平面 InAs 衬底高出约 15 倍。这归因于相干等离子体运动优先朝向线表面取向，从而克服了全内反射造成的辐射囚禁。我们提供的证据表明，这种辐射源于纳米线的低能声学表面等离激元模式。这一结论得到了对单个纳米线电子输运的独立测量、超快太赫兹光谱和理论分析的支持。我们结合实验和分析进一步表明，这些等离激元模式是高纵横比几何结构所特有的。
引用
@article{arxiv.1109.0355,
title = {Efficient terahertz emission from InAs nanowires},
author = {Denis V. Seletskiy and Michael P. Hasselbeck and Jeffrey G. Cederberg and Aaron Katzenmeyer and Maria E. Toimil-Molares and François Léonard and A. Alec Talin and Mansoor Sheik-Bahae},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.0355},
year = {2011}
}
备注
12 pages, 7 figures