沟槽图案化 InAs 中太赫兹波方向性与结构参数间的关联

我们在多种几何构型下进行了太赫兹（THz）时域光谱实验，以表征从沟槽图案化 InAs 结构发射的太赫兹波的方向性。首先，我们区分了作为外延层厚度函数的太赫兹发射机制。振幅和相位变化表明，在薄样品组（10-70 nm）中载流子漂移占主导地位，而在厚样品组（370-900 nm）中电子扩散运动压倒了反向排列的漂移偶极子。通过结合使用电子束光刻和电感耦合等离子体刻蚀技术在 1 {\mu}m 厚的 InAs 外延层上，我们进一步制备了非对称 V 形沟槽图案或对称抛物线图案。当沟槽图案作为微观反射镜并以扩散长度为尺度周期性分离时，太赫兹振幅得到增强，特别是在视距透射方向上。